Ab Initio Transfer Length Method Simulations of Tunneling Limits in 2D Semiconductors
Cette étude présente un cadre de simulation ab initio basé sur la méthode de la ligne de transmission pour caractériser les limites quantiques du contact et identifier les stratégies optimales de métallisation afin de réduire la résistance de contact dans les transistors 2D à l'échelle sub-nanométrique.