Synchrotron-radiation X-ray topography and reticulography of bulk -GaO crystals grown from a crucible-free melt
Cette étude caractérise la qualité cristalline et la distribution des défauts d'un monocristal de -GaO obtenu par la méthode OCCC, en révélant une excellente qualité sous le germe mais l'apparition d'une désorientation de type torsion et d'une densité accrue de dislocations lors de l'élargissement du diamètre.