An ultra-wide-bandgap semiconductor photodetector for linear measurement of bright sub-bandgap light
Cet article démontre que les photodétecteurs d'AlN sous la bande interdite, conçus avec des dopages et des structures de contact spécifiques pour créer une région de charge d'espace étroite, atteignent des réponses linéaires et non saturées à une lumière bleue ultra-brillante et à des températures élevées en exploitant une réponse photoélectrique médiée par des défauts de niveaux profonds, permettant ainsi une détection fiable dans des environnements industriels et aérospatiaux extrêmes.