Emergent medium-range order in amorphous silicon
Grâce à des simulations d'apprentissage automatique à grande échelle, cette étude révèle que l'ordre à moyenne portée dans le silicium amorphe provient d'un croisement entre les contraintes de liaison locale et les symétries cubiques/octaédriques émergentes à plus longue distance, unifiant le premier pic de diffraction intense, les corrélations de cycles topologiques et l'ordre orientationnel en un cadre structurel unique piloté par l'interaction entre la liaison locale et l'empilement efficace.