Identifying Contact Barrier Types in Few-Layer MoS2 Devices Using Correlative IV, LBIC, and Bias-Dependent KPFM
Cet article présente un cadre expérimental intégré combinant IV, LBIC et KPFM dépendant de la polarisation pour identifier et caractériser de manière univoque les barrières de contact de type Schottky ou tunnel dans des dispositifs de MoS2 à quelques couches, démontrant que bien que le recuit thermique réduise la résistance totale, les barrières de contact demeurent le facteur limitant dominant.