Characterization of afterpulse in SiPMs with single-cell readout as a function of bias voltage and fluence
Cette étude caractérise l'effet de résonance (afterpulse) dans les photomultiplicateurs à silicium (SiPM) équipés d'une lecture cellule par cellule, révélant que la probabilité et la constante de temps de ce phénomène restent faibles et indépendantes du flux de neutrons pour des surtensions de 3 à 5 V au-dessus de la tension de claquage.