Characterization of Passive CMOS Strip Detectors After Proton Irradiation
Cette étude démontre la faisabilité de détecteurs à bandes CMOS passifs irradiés par des protons de 24 GeV, fabriqués par assemblage de plusieurs réticules dans une fonderie commerciale, prouvant que cette technologie est viable pour les futurs grands trackers de particules.