All-electron dark matter-electron scattering with random-phase approximation dielectric screening and local field effects
Cet article présente un cadre de calcul tout-électron pour les taux de diffusion de la matière noire sur les électrons dans les solides, intégrant l'approximation de la phase aléatoire et les effets de champ local, et démontre l'importance cruciale de ces effets pour la précision des prédictions dans le silicium cristallin et d'autres matériaux cibles.