Temperature-Dependent Electrical and Interface Properties of Cu/P(VDF-TrFE)-Ho₂O₃/p-Si MPS Structured Schottky Barrier Diodes
Cette étude examine les propriétés électriques et d'interface dépendantes de la température des diodes Schottky métal-polymère-semiconducteur Cu/P(VDF-TrFE)-Ho₂O₃/p-Si, fabriquées à l'aide de couches interfaciales polymères intégrant du Ho₂O₃, afin d'analyser de manière exhaustive leurs caractéristiques courant-tension et capacité-tension sur une plage de température allant de 30 °C à 100 °C.