Field-Controlled Modulation Transport in Electro-Optically Accessible Semiconductor Microcavities for Ultrabroadband Optical Interconnects
Cet article introduit un cadre de transport par modulation contrôlée par champ dans des VCSELs GaAs-LiNbO3 intégrés électro-optiquement qui contourne les limites conventionnelles d'oscillation de relaxation porteurs-photons, permettant des bandes passantes sub-térahertz et une amélioration de près d'un ordre de grandeur des performances des interconnexions optiques.