A Statistical Framework for Laser-Induced Subsurface Modification and Cracking in 4H-SiC
Cet article établit un cadre statistique probabiliste utilisant l'analyse de Weibull et la caractérisation morphologique pour cartographier la transition de la modification de subsurface vers la fissuration stable dans le 4H-SiC, identifiant le pas d'impulsion comme le paramètre critique pour définir des fenêtres de processus de découpe laser reproductibles.