Self-oriented Seed Formation and Dynamic Annular-Gap Evolution During Sustained Long-length Entirely Detached Crystal Growth in the Vertical Directional Solidification (VDS)
Cette étude démontre que la croissance de cristaux entièrement détachés de grande longueur et soutenue de semi-conducteurs à base d'Sb dans un processus de solidification directionnelle verticale (VDS) est réalisée grâce à la formation d'une semence auto-orientée et à l'évolution subséquente d'un intervalle annulaire dynamique, résultant en des cristaux présentant une perfection structurelle significativement améliorée et des densités de dislocations réduites.