Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
Cette étude démontre que des films minces de GaAs homoépitaxiaux non dopés de haute qualité, présentant des surfaces lisses, de faibles concentrations de porteurs et une mobilité élevée, peuvent être cultivés avec succès en utilisant des précurseurs de triéthylgallium (TEGa) et de tertiobutylarsine (TBAs) à des températures de croissance de 600 °C et plus, surpassant de manière significative les films cultivés à des températures plus basses.