Andreev-enhanced conductance quantization and gate-tunable induced superconducting gap in germanium
本論文は、アルミニウム超伝導体と接合した Ge/SiGe 量子井戸構造における量子点接触の輸送特性を調査し、アンドレーフ反射による伝導の 40% の増大と、ゲート電圧で制御可能な誘起超伝導ギャップの観測を通じて、高移動度 2 次元正孔ガスを用いたハイブリッド量子デバイスとしての実用性を示したものである。