ALD Zinc Tin Oxide Buffers for Chalcopyrite Solar Cells: Electrical Barriers and Conduction Band Cliffs
本論文は、原子層堆積法で調製した ZnSnO バッファ層の Sn 含有量が導電帯の位置を制御し、低 Sn 含有量では吸収層とのエネルギー段差(クリフ)が開放電圧を低下させ、高 Sn 含有量では電子輸送の障壁が充填因子や短絡電流を悪化させることを、Cu(In,Ga)S2 などの広帯隙吸収層を用いた太陽電池の電気的特性評価から明らかにしたものである。