材料科学と凝縮系物理学の境界領域は、私たちの日常を支える新しい物質の発見と設計を探求する分野です。ここで取り扱われる研究は、半導体から超伝導体まで、未来のエネルギーや電子機器の基盤となる材料の振る舞いを解明するものです。

Gist.Science は、arXiv に投稿されるこの分野の最新プレプリントをすべて収集し、専門用語に頼らない平易な解説と、詳細な技術的な要約の両方を提供しています。これにより、研究者だけでなく、一般の方でも最先端の知見にアクセスできるようになりました。

以下に、このカテゴリから厳選した最新の論文リストを掲載します。

🔬 optics

Non-Hermitian corner skin effect in a two-dimensional photonic crystal

本論文は、損失のある磁気光学材料を用いた2次元非エルミートフォトニック結晶において、複素固有値の点ギャップに保護された、エルミート系には存在しないエッジおよびコーナーにおける非エルミートスキン効果と、バルクバンドのトポロジーに由来する非エルミート・トポロジカルエッジ状態を数値的に解明したものです。

Huyen Thanh Phan, Katsunori Wakabayashi2026-04-28
🔬 materials science

Electronic Spectroscopy of Atomic Defects in Molybdenum Disulfide under Ambient Conditions

本論文は、導電性原子間力顕微鏡(C-AFM)を用いることで、大気条件下における二硫化モリブデン(MoS2)内の個々の欠陥の局所的な電気伝導性を評価し、それらがn型・p型の遷移金属置換や硫黄の酸素置換であることを特定した研究です。

Joshua R. Evans, Diego A. Garibay, Aiden N. Kuhls, Mehmet Z. Baykara2026-04-28
🔬 materials science

A Single Twist-Angle Selection Method for the Electronic Structure of Bilayer Materials

本論文は、低次元材料の電子構造計算において、結合相互作用を考慮した新しいねじれ角選択アルゴリズム(paired sfTAおよびbinding sfTA)を提案し、従来の構造因子ねじれ平均法(sfTA)よりも高精度に結合相関エネルギーを算出できることを示しています。

Ryan A. Baker, William Z. Van Benschoten, James J. Shepherd2026-04-28
🔬 materials science

Spin excitation of the Heisenberg antiferromagnet with frustration: from the bounce-lattice antiferromagnet through the maple-leaf-lattice antiferromagnet to the exact-dimer system

この論文は、S=1/2およびS=1の2次元ハイゼンベルク反強磁性体において、バウンス格子からメープルリーフ格子、そして厳密なダイマー系へと変化するフラストレーション系を数値対角化法を用いて解析し、相互作用比の変化に伴うスピン励起ギャップの開閉挙動を明らかにしたものです。

Hiroki Nakano, Toru Sakai2026-04-28
🔬 materials science

Interfacial breathing as a dynamic failure law in all-solid-state batteries: amplitude, phase lag and dual-timescale memory as design principles

全固体電池の劣化は、リチウム接触の周期的な変動である「界面呼吸(interfacial breathing)」と、電解質の分解蓄積である「反応メモリ(reactive memory)」という2つの異なる時間スケールのプロセスによって支配されており、設計においてはこれら両者を独立して制御することが重要である。

Changdeuck Bae2026-04-28
🔬 applied physics

Characterizing Fill Factor Limitations in Perovskite-Silicon Tandem Solar Cells

本論文は、ペロブスカイト・シリコンタンデム太陽電池における曲線因子(FF)低下の要因として、直列抵抗に加え、電荷輸送層の移動度不足に起因する「フォトシャント(光照射下での並列抵抗減少)」および下部セル特有の二ダイオード特性を明らかにし、その改善戦略を提示したものです。

Yueming Wang, Nan Sun, Chris Dreessen, Gaosheng Huang, Alexander Eberst, Kaining Ding, Thomas Kirchartz2026-04-28
🔬 materials science

Electron-phonon coupling across the TMD/hBN van der Waals interface

この論文は、角度分解光電子分光(ARPES)を用いて、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)と窒化ホウ素(hBN)の界面において、隣接するhBN層のフォノンがTMDの電子状態に影響を与える「リモート電子-フォノン相互作用」を実証したものです。

G. Gatti, C. Berthod, J. Issing, M. Straub, S. Mandloi, Y. Alexanian, J. Avila, P. Dudin, T. K. Kim, M. D. Watson, C. Ca (…)2026-04-28