4071 件の論文
材料科学と凝縮系物理学の境界領域は、私たちの日常を支える新しい物質の発見と設計を探求する分野です。ここで取り扱われる研究は、半導体から超伝導体まで、未来のエネルギーや電子機器の基盤となる材料の振る舞いを解明するものです。
Gist.Science は、arXiv に投稿されるこの分野の最新プレプリントをすべて収集し、専門用語に頼らない平易な解説と、詳細な技術的な要約の両方を提供しています。これにより、研究者だけでなく、一般の方でも最先端の知見にアクセスできるようになりました。
以下に、このカテゴリから厳選した最新の論文リストを掲載します。
本研究は、マイクロ波プラズマ化学気相成長法による4インチシリコンウェハ上への超伝導ホウ素ドープダイヤモンド薄膜の成長成功を実証しており、最大臨界温度4.03 Kを達成するとともに、ウェハサイズが大きくなるにつれて取り込み効率の低下により大幅に高い気相ホウ素濃度が必要となること、および超伝導特性に径方向の不均一性が生じることを明らかにしている。
この研究は、酸化ガリウムは非晶質化に対する耐性により通常は耐放射線性を有するものの、表面付近で十分に高密度な熱スパイクが発生すると、局所的な非化学量論性が誘発されて再結晶化が抑制され、表面の非晶質化が促進されることを明らかにしており、特定の用途に向けて照射条件を調整するための経路を提示している。
本研究は、緻密で単相の(Cr,Mo,Ta,V,W)C高エントロピー炭化物セラミックスが、硬度と結晶粒径の間に系統的なホール・ペッチ関係を示さないことを実証しており、これは、それらの機械的応答が結晶粒界の相互作用よりも、主に圧痕荷重および局所的な岩塩型マトリックスによって支配されていることを示唆している。
本研究は、界面においてほぼ正反対の複屈折を示す、ファンデルワールス第四成分酸化物（MTeMoO）における自然発生的で安定な双晶ドメインの発見を報告するものであり、この現象は複数の顕微鏡技術によって確認されており、複屈折導波路、ポラリトンステアリング、および周波数変換における新たな応用を可能にすると提案されている。
本論文は、両極性2次元半導体において、単一ゲート制御によるp-n接合およびn-p接合の極性間の非揮発的かつ可逆的な切り替えを可能にするため、デュアルフローティングゲート構造における非対称誘電体スタックを用いた時空間プログラミング戦略を提示し、それによって高密度で多機能なインテリジェントハードウェアを促進するものである。
第一原理計算によれば、ツイストされたNbSe/MoSeヘテロ二層における近接効果は、主にファンデルワールスギャップを挟んだセレン原子間の立体反発によって引き起こされる、MoSe層における極めて不均一な電荷密度波を誘起することが明らかになった。
本論文は、ハイブリッド密度汎関数における範囲分離パラメータの較正を通じて実験的な転移温度を逆解析することにより、スピンクロスオーバーエネルギーを体系的に決定するプロトコルを提案するとともに、関連する不確かさを定量化し、高レベルの結合クラスター計算を用いて結果を検証するものである。
本論文は、フェーズフィールド法によるシミュレーションとAIを用いた画像セグメンテーションを統合することで、空隙率、粒子間接触、および多相界面の形成が電気化学的性能にどのように決定的な影響を与えるかを明らかにし、全固体電池の微細構造とインピーダンススペクトルを定量的に結びつけるモデリングフレームワークを提示するものである。
本研究は、PtショットキーおよびCr2O3/Ga2O3 p-nダイオードを用いたGa2O3ベースの水素センサーの高温における長期安定性を評価し、ドーパントの移動や結晶粒成長といった特定の劣化メカニズムを特定するとともに、窒素ドープ構造がマグネシウムドープ設計に比べて性能は低いものの、安定した代替案となることを実証している。
本論文は、薄膜合成における反射高速電子回折（RHEED）の自律的なAI駆動制御と定量的解析を可能にするオープンソースのハードウェアおよびソフトウェアのツールキットを提示するものであり、これにより従来のオペレーターへの依存を克服し、完全なエージェンティックな材料成長の基盤を確立するものである。