Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films
本論文は、パターン化された薄膜ストレッサーを用いて制御されたヘテロ歪みを誘起することにより、特定の格子変形および面内偏極のエンジニアリングを可能にする、2次元材料におけるモアレ超格子構築のためのスケーラブルかつ決定論的な手法を実証するものである。
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2608 件の論文
材料科学と凝縮系物理学の境界領域は、私たちの日常を支える新しい物質の発見と設計を探求する分野です。ここで取り扱われる研究は、半導体から超伝導体まで、未来のエネルギーや電子機器の基盤となる材料の振る舞いを解明するものです。
Gist.Science は、arXiv に投稿されるこの分野の最新プレプリントをすべて収集し、専門用語に頼らない平易な解説と、詳細な技術的な要約の両方を提供しています。これにより、研究者だけでなく、一般の方でも最先端の知見にアクセスできるようになりました。
以下に、このカテゴリから厳選した最新の論文リストを掲載します。
Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature
First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and BAlN alloys
本研究は、高度な計算手法を用いてウルツ鉱型BAlN合金の極性および非極性バンドアライメントを決定・解析しており、高電子移動度トランジスタや紫外線光電子デバイスのための重要な設計指針となる、組成依存的なタイプIまたはタイプIIのアライメントおよび表面極性効果を明らかにしている。
Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism
本研究は、ケイ酸塩ガラスにおける破壊の開始が普遍的なせん断局在化メカニズムによって支配されていることを示しており、体積的な緻密化を強調する従来の視点に異を唱え、これらの材料をバルク金属ガラスや無定形ポリマーの破断挙動と一致させるものである。
Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires
本研究は、熱水成長させたカイラルテルルナノワイヤが、位相コヒーレントな準弾道輸送、ゲート制御可能な量子ドット形成、および高度に異方的なg因子を示すことを実証しており、これらがスピン量子ビットやマヨラナゼロモード研究のための多才なプラットフォームであることを確立している。
Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface
本論文は、ニオブ上に、原子レベルで鋭い界面を形成し、酸化物の再成長を防ぐ、空気中で安定した高結晶性の酸化ジルコニウム層を成長させる新しい手法を提示するものであり、それによって二準位系欠陥を低減し、超伝導量子デバイスのコヒーレンス時間を向上させる有望な経路を提供する。
Graphlet Histogram Representation Database of Inorganic Crystals
本論文は、実験データが乏しい場合でも材料特性の予測を可能にするため、14万9,000を超える無機結晶に対して解釈可能かつデータ効率の高いグラフレット・ヒストグラム表現を提供する、包括的なデータベースおよびオープンソース・ツールキットであるGraphlet-MPを紹介するものである。
Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells
本研究は、2次元有限要素熱電シミュレーションを用いて、GeSbTeマッシュルーム型相変化メモリセルにおいて、電流が上部電極から狭い下部電極へと流れる際に熱電効果とフィラメント状輸送がリセットエネルギーおよび電力を大幅に低減することを実証するとともに、プログラミング体積が10 nmを超える電極寸法には依存しないこと、および、より大きな電極は信頼性の向上と引き換えにばらつきが増大することを明らかにしている。
Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped VO films
本研究は、極薄（5 nmまで）のクロムドープVO薄膜が、界面の非晶質層および電極からのTi拡散が結晶相と非晶質相の挙動を均一化することに起因すると考えられる、低リーク電流や急峻な遷移といった優れたセレクタ特性を示すことを実証している。
Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe Transistors
本論文は、多層WSe電界効果トランジスタの相互コンダクタンスが、ローレンツ型の周波数応答、二段階の電流過渡現象、および掃引速度に比例するヒステリシスという3つの明確なシグネチャを提供し、標準的な計測機器を用いてこのパラメータへの定量的なアクセスを可能にする、谷間緩和時間を測定するための直接的な電気スペクトロメータとして機能し得ることを示している。