Comprehensive First-Principles Investigation of the Structural, Mechanical, Electronic, and Optical Properties of Homoelemental Phase T-GaN Monolayer
本研究は、第一原理計算を用いて、正方晶のT-GaN単層が動的に安定な非磁性半導体であり、顕著な機械的、電子的、および光学的異方性を有することを示し、それによって、異方的なナノエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス応用への有望な候補であることを実証している。