First results of a Monolithic Active Pixel Sensor with Internal Signal Gain Fully Integrated in a 180 nm CMOS Technology
この論文は、CERN の高輝度 LHC や将来の FCC 実験における高放射線環境での 4 次元追跡検出器向けに、180nm CMOS 技術で完全集積された内部増幅機能を持つモノリシックアクティブピクセルセンサー「CASSIA」の初期測定結果を報告し、低電圧での LGAD 型および高電圧での SPAD 型の動作を示すとともに、内部電荷増幅による高信号対雑音比と優れた時間分解能を達成したことを実証しています。