Micron-scale Quantum Dot Light-Emitting Diodes with EQE Exceeding 42%
本研究は、欠陥のパッシベーションとZnOにおけるエネルギーバンドの変調を同時に行うためにフッ素化BPAFを用いた、初の二機能的な分子設計による電荷生成層を実証しており、これにより全溶液プロセスによるタンデム型QLEDが、次世代の近眼ディスプレイにおける固有の効率と解像度のトレードオフを克服しつつ、10,160 PPIにおいて記録的な42.82%の外部量子効率を達成することを可能にしている。