A Comparative Study on the Efficiency of an SnO2/n-Si Photodetector Using a Planar Un-scratched and a CNC Mechanically Scratched Wafer
本研究は、CNCマシンを用いてn型シリコン(n-Si)ウェハーを機械的にスクラッチングすることでマイクログルーブ状のSnO2/n-Siヘテロ接合を形成すると、光トラッピングの向上とトラップ介在再結合の抑制を通じて、暗電流の増加による比検出率の低下というトレードオフはあるものの、光電流、応答度、および応答速度を向上させ、フォトディテクタの効率を大幅に高めることを実証している。