Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
本研究は、トリエチルガリウム(TEGa)およびターシャリーブチルアルシン(TBAs)前駆体を用い、600°C以上の成長温度において、滑らかな表面、低いキャリア濃度、および高い移動度を有する高品質で無ドープのホモエピタキシャルGaAs薄膜を、より低い温度で成長させた膜を大幅に上回る性能で成長させることに成功したことを示している。