Nanoscale graphitization and defect evolution in silicon-vacancy center-containing nanodiamonds under high-pressure high-temperature annealing
本研究は、in situ シンクロトロン X線回折を用いることで、シリコン空孔中心を含むナノダイヤモンドの精密な高圧高温処理ウィンドウを確立し、相変態を誘発することなく光学特性を向上させるための歪み緩和アニーリングを可能にする特定のグラファイト化閾値を特定するものである。