Precision measurements of semleptonic decays D0→π−ℓ+νℓ and D+→π0ℓ+νℓ (ℓ=e,μ)
BESIII検出器によって収集された20.3 fb−1のe+e−衝突データを用い、本研究は、半レプトン崩壊D0→π−ℓ+νℓおよびD+→π0ℓ+νℓ(ℓ=e,μ)における分岐比、部分崩壊率、および前方後方非対称性の現時点における最も精密な測定結果を提示しており、これらから積f+D→π(0)∣Vcd∣が決定され、CKM行列要素∣Vcd∣およびフォームファクターf+D→π(0)の抽出に用いられるとともに、レプトンフレーバー普遍性の検証およびスカラー電流の寄与の探索が行われる。
原著者: BESIII Collaboration, M. Ablikim, M. N. Achasov, P. Adlarson, X. C. Ai, C. S. Akondi, R. Aliberti, A. Amoroso, Q. An, Y. H. An, M. S. Anderson, Y. Bai, O. Bakina, H. R. Bao, X. L. Bao, M. Barbagiovanni, V. Batozskaya, K. Begzsuren, N. Berger, M. Berlowski, M. B. Bertani, D. Bettoni, F. Bianchi, E. Bianco, A. Bortone, I. Boyko, R. A. Briere, A. Brueggemann, D. Cabiati, H. Cai, M. H. Cai, X. Cai, A. Calcaterra, G. F. Cao, N. Cao, S. A. Cetin, X. Y. Chai, J. F. Chang, T. T. Chang, G. R. Che, Y. Z. Che, C. H. Chen, Chao Chen, G. Chen, H. S. Chen, H. Y. Chen, M. L. Chen, S. J. Chen, S. M. Chen, T. Chen, W. Chen, X. R. Chen, X. T. Chen, X. Y. Chen, Y. B. Chen, Y. Q. Chen, Z. K. Chen, J. Cheng, L. N. Cheng, S. K. Choi, X. Chu, G. Cibinetto, F. Cossio, J. Cottee-Meldrum, H. L. Dai, J. P. Dai, X. C. Dai, A. Dbeyssi, R. E. de Boer, D. Dedovich, C. Q. Deng, Z. Y. Deng, A. Denig, I. Denisenko, M. Destefanis, F. De Mori, E. Di Fiore, X. X. Ding, Y. Ding, Y. X. Ding, J. Dong, L. Y. Dong, M. Y. Dong, X. Dong, Z. J. Dong, M. C. Du, S. X. Du, Shaoxu Du, X. L. Du, Y. Q. Du, Y. Y. Duan, Z. H. Duan, P. Egorov, G. F. Fan, J. J. Fan, K. X. Fan, Y. H. Fan, J. Fang, Jin Fang, S. S. Fang, W. X. Fang, Y. Q. Fang, L. Fava, F. Feldbauer, G. Felici, C. Q. Feng, J. H. Feng, Q. X. Feng, Y. T. Feng, M. Fritsch, C. D. Fu, J. L. Fu, Y. W. Fu, H. Gao, Xu Gao, Y. Gao, Y. N. Gao, Y. Y. Gao, Yunong Gao, Z. Gao, S. Garbolino, I. Garzia, L. Ge, P. T. Ge, Z. W. Ge, C. Geng, A. Gilman, K. Goetzen, J. Gollub, J. B. Gong, J. D. Gong, L. Gong, W. X. Gong, W. Gradl, M. Greco, M. D. Gu, M. H. Gu, C. Y. Guan, A. Q. Guo, H. Guo, J. N. Guo, L. B. Guo, M. J. Guo, R. P. Guo, X. Guo, Y. P. Guo, Z. Guo, A. Guskov, J. Gutierrez, J. Y. Han, T. T. Han, X. Han, F. Hanisch, K. D. Hao, X. Q. Hao, F. A. Harris, C. Z. He, K. K. He, K. L. He, F. H. Heinsius, C. H. Heinz, Y. K. Heng, C. Herold, P. C. Hong, G. Y. Hou, X. T. Hou, Y. R. Hou, Z. L. Hou, H. M. Hu, J. F. Hu, Q. P. Hu, S. L. Hu, T. Hu, Y. Hu, Y. X. Hu, Z. M. Hu, G. S. Huang, K. X. Huang, L. Q. Huang, P. Huang, X. T. Huang, Y. P. Huang, Y. S. Huang, T. Hussain, N. Hüsken, N. in der Wiesche, J. Jackson, Q. Ji, Q. P. Ji, W. Ji, X. B. Ji, X. L. Ji, Y. Y. Ji, L. K. Jia, X. Q. Jia, D. Jiang, S. J. Jiang, X. S. Jiang, Y. Jiang, J. B. Jiao, J. K. Jiao, Z. Jiao, L. C. L. Jin, S. Jin, Y. Jin, M. Q. Jing, X. M. Jing, T. Johansson, S. Kabana, X. L. Kang, X. S. Kang, B. C. Ke, V. Khachatryan, A. Khoukaz, O. B. Kolcu, B. Kopf, L. Kröger, L. Krümmel, Y. Y. Kuang, X. Kui, N. Kumar, A. Kupsc, W. Kühn, Q. Lan, W. N. Lan, T. T. Lei, M. Lellmann, T. Lenz, C. Li, C. H. Li, C. K. Li, Chunkai Li, Cong Li, D. M. Li, F. Li, G. Li, H. B. Li, H. J. Li, H. L. Li, H. N. Li, H. P. Li, Hui Li, J. N. Li, J. S. Li, J. W. Li, K. Li, K. L. Li, L. J. Li, L. K. Li, Lei Li, M. H. Li, M. R. Li, M. T. Li, P. L. Li, P. R. Li, Q. M. Li, Q. X. Li, R. Li, S. Li, S. X. Li, S. Y. Li, Shanshan Li, T. Li, T. Y. Li, W. D. Li, W. G. Li, X. Li, X. H. Li, X. K. Li, X. L. Li, X. Y. Li, X. Z. Li, Y. Li, Y. H. Li, Y. B. Li, Y. C. Li, Y. G. Li, Y. P. Li, Z. H. Li, Z. J. Li, Z. L. Li, Z. X. Li, Z. Y. Li, C. Liang, H. Liang, Y. F. Liang, Y. T. Liang, Z. Z. Liang, G. R. Liao, L. B. Liao, M. H. Liao, Y. P. Liao, J. Libby, A. Limphirat, C. C. Lin, C. X. Lin, D. X. Lin, T. Lin, B. J. Liu, B. X. Liu, C. Liu, C. X. Liu, F. Liu, F. H. Liu, Feng Liu, G. M. Liu, H. Liu, H. B. Liu, H. M. Liu, Huihui Liu, J. B. Liu, J. J. Liu, K. Liu, K. Y. Liu, Ke Liu, Kun Liu, L. Liu, L. C. Liu, Lu Liu, M. H. Liu, P. L. Liu, Q. Liu, S. B. Liu, T. Liu, W. M. Liu, W. T. Liu, X. Liu, X. K. Liu, X. L. Liu, X. P. Liu, X. T. Liu, X. Y. Liu, Y. Liu, Y. B. Liu, Yi Liu, Z. A. Liu, Z. D. Liu, Z. L. Liu, Z. Q. Liu, Z. X. Liu, Z. Y. Liu, X. C. Lou, H. J. Lu, J. G. Lu, X. L. Lu, Y. Lu, Y. H. Lu, Y. P. Lu, Z. H. Lu, C. L. Luo, J. R. Luo, J. S. Luo, M. X. Luo, T. Luo, X. L. Luo, Z. Y. Lv, X. R. Lyu, Y. F. Lyu, Y. H. Lyu, F. C. Ma, H. L. Ma, Heng Ma, J. L. Ma, L. L. Ma, L. R. Ma, Q. M. Ma, R. Q. Ma, R. Y. Ma, T. Ma, X. T. Ma, X. Y. Ma, F. E. Maas, I. MacKay, M. Maggiora, S. Maity, S. Malde, L. M. Mansur, Y. J. Mao, Z. P. Mao, S. Marcello, A. Marshall, F. M. Melendi, Y. H. Meng, Z. X. Meng, G. Mezzadri, H. Miao, T. J. Min, R. E. Mitchell, X. H. Mo, A. F. Mohammad, B. Moses, N. Yu. Muchnoi, J. Muskalla, Y. Nefedov, F. Nerling, H. Neuwirth, Z. Ning, S. Nisar, Q. L. Niu, W. D. Niu, Y. Niu, C. Normand, S. L. Olsen, Q. Ouyang, I. V. Ovtin, S. Pacetti, Y. Pan, C. Y. Pang, A. Pathak, Y. P. Pei, M. Pelizaeus, G. L. Peng, H. P. Peng, X. J. Peng, Y. Y. Peng, K. Peters, K. Petridis, J. L. Ping, R. G. Ping, S. Plura, V. Prasad, L. Pöpping, F. Z. Qi, H. R. Qi, S. Qian, W. B. Qian, C. F. Qiao, J. H. Qiao, J. J. Qin, J. L. Qin, L. Q. Qin, L. Y. Qin, P. B. Qin, X. P. Qin, X. S. Qin, Z. H. Qin, J. F. Qiu, Z. H. Qu, J. Rademacker, K. Ravindran, C. F. Redmer, A. Rivetti, M. Rolo, G. Rong, S. S. Rong, F. Rosini, Ch. Rosner, M. Q. Ruan, W. R. Ruangyoo, N. Salone, A. Sarantsev, Y. Schelhaas, M. Schernau, K. Schoenning, M. Scodeggio, W. Shan, X. Y. Shan, Z. J. Shang, J. F. Shangguan, L. G. Shao, M. Shao, C. P. Shen, H. F. Shen, W. H. Shen, X. Y. Shen, B. A. Shi, Ch. Y. Shi, H. Shi, J. L. Shi, J. Y. Shi, M. H. Shi, S. Shi, S. Y. Shi, X. Shi, H. L. Song, J. J. Song, M. H. Song, T. Z. Song, W. M. Song, Y. X. Song, Zirong Song, S. Sosio, S. Spataro, S. Stansilaus, F. Stieler, M. Stolte, S. S Su, G. B. Sun, G. X. Sun, H. Sun, H. K. Sun, J. F. Sun, K. Sun, L. Sun, R. Sun, S. S. Sun, T. Sun, W. Y. Sun, Y. C. Sun, Y. H. Sun, Y. J. Sun, Y. Z. Sun, Z. Q. Sun, Z. T. Sun, H. Tabaharizato, N. T. Tagsinsit, C. J. Tang, G. Y. Tang, J. Tang, J. J. Tang, L. F. Tang, Y. A. Tang, Z. H. Tang, L. Y. Tao, M. Tat, J. X. Teng, J. Y. Tian, W. H. Tian, Y. Tian, Z. F. Tian, K. Yu. Todyshev, I. Uman, E. van der Smagt, B. Wang, Bin Wang, Bo Wang, C. Wang, Chao Wang, Cong Wang, D. Y. Wang, F. K. Wang, H. J. Wang, H. R. Wang, J. Wang, J. H. Wang, J. J. Wang, J. P. Wang, K. Wang, L. L. Wang, L. W. Wang, M. Wang, Mi Wang, N. Y. Wang, P. Wang, S. Wang, Shun Wang, T. Wang, W. Wang, W. P. Wang, X. F. Wang, X. L. Wang, X. N. Wang, Xin Wang, Y. Wang, Y. D. Wang, Y. F. Wang, Y. H. Wang, Y. J. Wang, Y. L. Wang, Y. N. Wang, Yanning Wang, Yaqian Wang, Yi Wang, Yuan Wang, Z. Wang, Z. L. Wang, Z. Q. Wang, Z. Y. Wang, Zhi Wang, Ziyi Wang, D. Wei, D. H. Wei, D. J. Wei, H. R. Wei, F. Weidner, H. R. Wen, S. P. Wen, U. Wiedner, G. Wilkinson, J. F. Wu, L. H. Wu, L. J. Wu, Lianjie Wu, S. G. Wu, S. M. Wu, X. W. Wu, Z. Wu, H. L. Xia, L. Xia, B. H. Xiang, D. Xiao, G. Y. Xiao, H. Xiao, Y. L. Xiao, Z. J. Xiao, C. Xie, K. J. Xie, Y. Xie, Y. G. Xie, Y. H. Xie, Z. P. Xie, T. Y. Xing, D. B. Xiong, G. F. Xu, H. Y. Xu, Q. J. Xu, Q. N. Xu, T. D. Xu, X. P. Xu, Y. Xu, Y. C. Xu, Z. S. Xu, F. Yan, L. Yan, W. B. Yan, W. C. Yan, W. H. Yan, W. P. Yan, X. Q. Yan, Y. Y. Yan, H. J. Yang, H. L. Yang, H. X. Yang, J. H. Yang, L. Y. Yang, R. J. Yang, X. Y. Yang, Y. Yang, Y. G. Yang, Y. H. Yang, Y. M. Yang, Y. Q. Yang, Y. Z. Yang, Youhua Yang, Z. Y. Yang, W. J. Yao, Z. P. Yao, M. Ye, M. H. Ye, Z. J. Ye, K. Yi, Junhao Yin, Qiqin Yin, Z. Y. You, B. X. Yu, C. X. Yu, G. Yu, J. S. Yu, L. W. Yu, T. Yu, X. D. Yu, Y. C. Yu, Yongchao Yu, C. Z. Yuan, H. Yuan, J. Yuan, Jie Yuan, L. Yuan, M. K. Yuan, S. H. Yuan, Y. Yuan, C. X. Yue, Ying Yue, A. A. Zafar, F. R. Zeng, S. H. Zeng, X. Zeng, Y. J. Zeng, Yujie Zeng, Y. C. Zhai, Y. H. Zhan, B. L. Zhang, B. X. Zhang, D. H. Zhang, G. Y. Zhang, Gengyuan Zhang, H. Zhang, H. C. Zhang, H. H. Zhang, H. L. Zhang, H. Q. Zhang, H. R. Zhang, H. Y. Zhang, Han Zhang, J. Zhang, J. J. Zhang, J. L. Zhang, J. Q. Zhang, J. S. Zhang, J. W. Zhang, J. X. Zhang, J. Y. Zhang, J. Z. Zhang, Jianyu Zhang, Jin Zhang, Jiyuan Zhang, L. M. Zhang, Lei Zhang, N. Zhang, P. Zhang, Q. Zhang, Q. Y. Zhang, Q. Z. Zhang, R. Y. Zhang, S. H. Zhang, S. N. Zhang, Shulei Zhang, X. M. Zhang, X. Y. Zhang, Y. T. Zhang, Y. H. Zhang, Y. P. Zhang, Yao Zhang, Yu Zhang, Yu Zhang, Z. Zhang, Z. D. Zhang, Z. H. Zhang, Z. L. Zhang, Z. X. Zhang, Z. Y. Zhang, Zh. Zh. Zhang, Zhilong Zhang, Ziyang Zhang, Ziyu Zhang, G. Zhao, J. -P. Zhao, J. Y. Zhao, J. Z. Zhao, L. Zhao, Lei Zhao, M. G. Zhao, R. P. Zhao, S. J. Zhao, Y. B. Zhao, Y. L. Zhao, Y. P. Zhao, Y. X. Zhao, Z. G. Zhao, A. Zhemchugov, B. Zheng, B. M. Zheng, J. P. Zheng, W. J. Zheng, W. Q. Zheng, X. R. Zheng, Y. H. Zheng, B. Zhong, C. Zhong, X. Zhong, H. Zhou, J. Q. Zhou, S. Zhou, X. Zhou, X. K. Zhou, X. R. Zhou, X. Y. Zhou, Y. X. Zhou, Y. Z. Zhou, A. N. Zhu, J. Zhu, K. Zhu, K. J. Zhu, K. S. Zhu, L. X. Zhu, Lin Zhu, S. H. Zhu, T. J. Zhu, W. D. Zhu, W. J. Zhu, W. Z. Zhu, Y. C. Zhu, Z. A. Zhu, X. Y. Zhuang, M. Zhuge, J. H. Zou, J. Zu
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宇宙を、微小な構成要素である「粒子」が絶えず組み立てられたり解体されたりしている、巨大で賑やかな建設現場だと想像してみてください。「チャーム」部門と呼ばれる場所には、「Dメソン」という名の、短命で特別なレンガが存在します。これらのレンガは非常に興味深く、重いチャームクォークと、より軽いパートナーから構成されています。そして、これらが崩壊するとき、宇宙の「弱い相互作用」という秘密のルールを明らかにします。これは、粒子がその正体を変化させることを可能にする、目に見えない接着剤のようなものです。このゲームにおける最も重要なルールの一つが、「レプトン・フレーバー普遍性」です。これは、宇宙のクラブに立つ厳格なボディーガードのようなもので、電子とミューオン(2種類の異なる軽い粒子)が、そのわずかな重さの違いに関わらず、全く同じように扱われることを要求します。もしボディーガードが、一方を通し、もう一方を拒否するようなことがあれば、それはルールブックが間違っており、影の中に未知の新しい物理学が隠れていることを意味します。科学者たちは、この建設現場の他の場所で、この「ボディーガードのルール違反」を探し求めてきましたが、チャーム部門は、より詳細な観察を待ちわびる謎のまま残されてきました。
しかし、BESIIIコラボレーションとして知られる大規模な科学者チームが、ついにこれらの特定のチャームのレンガに対して、拡大鏡を向けました。中国にある、粒子衝突を高速カメラのように捉える巨大な検出器を用いて、彼らは、Dメソンがパイオン、レプトン(電子またはミューオンのいずれか)、そして幽霊のようなニュートリノへと崩壊する様子を捉えるため、20.3 fb⁻¹の積分ルミノシティに相当する膨大なデータセットを分析しました。これは、ケーキが焼かれる様子を見守り、その後に残されたパン屑を注意深く測定することで、ケーキのレシピを解明しようとする試みに似ています。チームは、これらの特定の崩壊レシピが具体的にどのくらいの頻度で起こるかを測定しました。その結果、D⁰メソンは1,000回の試行につき、パイオンと電子へと約2.950回、パイオンとミューオンへと約2.817回崩壊することを発見しました。電荷を持つD⁺メソンの場合、数値はわずかに高く、それぞれ1,000回につき約3.622回と3.507回でした。これらは単なる大まかな推測ではありません。チームは、これまでの記録を2倍から3倍も改善するほどの精度で、これらを測定したのです。
しかし、本当の魔法は単にパン屑を数えることだけではなく、宇宙が公平にプレーしているかどうかを確認することにありました。科学者たちは、「電子」のレシピと「ミューオン」のレシピを比較し、ボディーガードに偏見がないかを確認しました。彼らは、ミューオンと電子の比率が標準模型(現在の物理学のルールブック)が予測するものに非常に近く、有意な偏りは見られなかったことを発見しました。これは、少なくともこれらの特定のチャーム崩壊において、宇宙は依然として電子とミューオンを平等に尊重していることを意味します。さらに、彼らは、崩壊プロセスの中に隠れており、ケーキの風味を変える「秘密の材料」のように振る舞う、仮説上の余分な力である「スカラー・カレント」の存在を探索しました。飛び出していく粒子の角度とエネルギーを分析した結果、この秘密の材料の証拠は見つかりませんでした。データは、もしこの秘密の力が存在するとしても、それは極めて微弱であり、検出可能な指紋を残さないほど巧妙に隠れていることを示唆しています。これらすべての精密な測定を組み合わせることで、チームはまた、クォークがどのように互いに変化するかをマッピングするのに役立つ「CKM行列要素」と呼ばれる基本的な数値を算出しました。これにより、宇宙の基本的な構成要素を描き出す、より鮮明で正確な地図が得られたのです。
技術要約:半レプトン崩壊 D0→π−ℓ+νℓ および D+→π0ℓ+νℓ の精密測定
問題と動機
チャーム中間子の半レプトン崩壊に関する実験的研究は、チャームセクターにおける弱相互作用および強相互作用を理解するために不可欠である。これらの過程により、カビボ・小林・マサカワ(CKM)行列要素の絶対値 ∣Vcd∣ と、ハドロン遷移形式因子 f+D→π(0) の積の抽出が可能となる。この抽出は、主に2つの目的を果たす。一つは、形式因子の理論的予測(格子QCD、QCDライトコーン・サマールール、およびクォークモデルなどの手法によって計算される)の検証であり、もう一つはCKM行列のユニタリティの検証である。
さらに、これらの崩壊は、レプトン・フレーバー普遍性(LFU)および潜在的な新物理(NP)の探索のためのプローブとなる。標準模型(SM)はすべてのレプトン世代に対して等価な相互作用を予測しているが、b→cℓ+νˉℓ 遷移におけるアノマリーは、偏差を示唆してきた。二重ヒッグス二重項モデルやレプトクォークのシナリオを含む理論モデルは、弱相互作用におけるスカラー電流の寄与がこれらの不一致を説明できる可能性を提案している。本研究において、D→πℓ+νℓ 崩壊における c→dℓ+νℓ 遷移は、相対的に大きな分岐比と高い検出効率を持つため、これらのスカラー電流を制約する上で特に有望である。本研究以前には、これらの特定の崩壊におけるスカラー電流および前方後方非対称性に対する実験的な制約は存在しておらず、既存の分岐比の測定値も厳密なテストを行うために必要な精度を欠いていた。
手法
本解析では、BESIII検出器を用いて、重心エネルギー s=3.773 GeV の e+e− 衝突データ 20.3 fb−1 を利用している。このエネルギーにおいて、DDˉ ペアは ψ(3770) 共鳴状態を介して生成される。
- ダブルタグ(DT)法: 絶対分岐比を測定するために、ダブルタグ手法を採用している。シングルタグ(ST)候補は、様々なハドロンモード(Dˉ0→K+π−,K+π−π0 など、および D−→K+π−π− など)で再構成される。信号イベントは、これらST候補のリコイル系として特定される。
- イベント選択: D0→π−ℓ+νℓ および D+→π0ℓ+νℓ (ℓ=e,μ) の信号候補は、運動学的変数、粒子識別(PID:$dE/dx$、飛行時間(TOF)、電磁カロリメータ(EMC)情報に基づく)、および背景事象を抑制するための特定のヴェト基準(例:KS0 ヴェト、余剰光子/トラックの除去)に基づいて選択される。
- 信号抽出: 信号収量を抽出するために、欠損質量二乗(Mmiss2)分布を用いる。部分崩壊率を決定するために、10個の q2 区間でフィットが行われる。
- 形式因子の抽出: ハドロン遷移形式因子は、2パラメータの級数展開を用いてモデル化される。f+D→π(0)∣Vcd∣ を抽出するために、4つの全チャネル(D0→π−e+νe,D0→π−μ+νμ,D+→π0e+νe,D+→π0μ+νμ)の部分崩壊率に対して同時フィットが行われる。
- スカラー電流と非対称性: 前方後方非対称性(AFB)は q2 ビンごとに測定される。部分崩壊率と AFB に対する同時フィットを行い、スカラー電流に関連する複素ウィルソン係数(CSℓ)を制約する。
主な貢献と結果
分岐比: 本論文は、全データセットを用いた全4つの崩壊モードの分岐比の初となる精密測定を報告している。結果は以下の通りである:
- B(D0→π−e+νe)=(2.950±0.017stat±0.017syst)×10−3
- B(D0→π−μ+νμ)=(2.817±0.037stat±0.019syst)×10−3
- B(D+→π0e+νe)=(3.622±0.034stat±0.018syst)×10−3
- B(D+→π0μ+νμ)=(3.507±0.043stat±0.026syst)×10−3
これらの測定値は、従来のBESIIIの結果を2〜3倍改善している。
形式因子とCKM要素: 同時フィットを通じて、零運動量転移における形式因子とCKM要素の積が決定された:
- f+D→π(0)∣Vcd∣=0.1425±0.0005stat±0.0003syst
SMのグローバルフィット値 ∣Vcd∣ を用いると、形式因子は f+D→π(0)=0.6339±0.0024stat±0.0014syst として抽出される。逆に、格子QCDの計算による形式因子を用いると、CKM要素は ∣Vcd∣=0.2262±0.0008stat±0.0005syst±0.0018LQCD と決定される。
- f+D→π(0)∣Vcd∣=0.1425±0.0005stat±0.0003syst
レプトン・フレーバー普遍性(LFU): セミミューオン分岐比とセミエレクトロン分岐比の比が測定された:
- RLFU0=0.947±0.014stat±0.005syst
- RLFU+=0.973±0.015stat±0.006syst
これらの結果は、それぞれ 2.5σ および 0.7σ 以内でSMの予測と一致している。
前方後方非対称性: 本研究は、q2 ビンにおける D→πℓ+νℓ 崩壊の前方後方非対称性(AFB)の初の実験的測定を提示している。測定された非対称性はSMの予測と一致している。
スカラー電流の制約: 部分崩壊率と AFB のフィットにより、本論文は c→dℓ+νℓ 遷移におけるスカラー電流の寄与に対する初の実験的制約を確立した。ミューオン・チャネルの結果は以下の通りである:
- Re(CSμ)=0.022±0.023stat±0.003syst
- ∣Im(CSμ)∣=0.000±0.038stat±0.012syst
SMを超えるスカラー電流の証拠は見出されなかった。非ゼロの CSμ の有意性は 1.6σ と推定されている。
意義
本論文は、これらの結果がこれらの崩壊モードに関する現在最も精密な測定であり、従来のBESIIIの解析を凌駕していると主張している。f+D→π(0) および ∣Vcd∣ の精度向上は、格子QCDをはじめとする理論計算に対する厳密なテストを提供する。前方後方非対称性の初の測定と、それに伴うスカラー電流への制約は、他のフレーバー・セクターで観察されているアノマリーを説明し得るスカラー電流の寄与に関して、チャームセクターにおける潜在的な新物理を調査するための重要な新データを提供する。LFU比が標準模型と一致していることは、現在の実験精度内でのこれらの相互作用の標準模型による記述をさらに支持している。
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