Crystallographic defects in Weyl semimetal LaAlGe
Dit onderzoek toont aan dat kristallografische defecten, met name Ge-op-Al antisites, van nature voorkomen in het Weyl-halfgeleider LaAlGe en door hun donorachtige aard zowel het chemisch potentieel verschuiven als de exotische transport- en spectroscopische eigenschappen maskeren.