Investigating Ultra-Low Energy Ionization Yield from Nuclear Recoils in Semiconductor Detectors via Molecular Dynamics Simulations
Dit artikel introduceert een nieuwe methode op basis van moleculaire dynamica-simulaties die de ionisatieopbrengst van kernterugstoten in halfgeleiders nauwkeuriger voorspelt dan traditionele modellen, waardoor de detectiegrens voor donkere materie wordt verlaagd tot 0,29 GeV/c².