Moire based strain analysis in wurtzite GaAs -- rock-salt (Pb,Sn)Te core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy
Este estudo utiliza microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução e análise de fase geométrica para investigar as discordâncias de ajuste induzidas por incompatibilidade de rede e as franjas de Moiré em nanofios de núcleo-casca de GaAs/Pb,SnTe wurtzita crescidos por epitaxia de feixe molecular, demonstrando que a análise de padrões de Moiré serve como um método alternativo eficaz para estimar a tensão nessas estruturas de isolantes cristalinos topológicos.