Atomistic dynamics of early oxidation of Si upon ultra-short pulsed laser heating
Este estudo combina simulações de dinâmica molecular reativa com validação experimental para demonstrar que a oxidação precoce do silício sob aquecimento por laser de pulso ultracurto é governada por uma transição de um crescimento negligenciável abaixo do ponto de fusão para uma rápida formação de óxido controlada por difusão dentro da camada transiente de silício fundido.