Controlled Fabrication of Uniform Columnar Porous GaN Architectures by Electrochemical Etching
本研究表明,在电化学刻蚀溶液中添加氢氧根离子能够通过一种独特的反应机制,实现均匀、垂直排列的柱状多孔氮化镓结构的受控制备,为工程化用于光电应用的高孔隙率结构提供了一种通用的途径。
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本研究表明,在电化学刻蚀溶液中添加氢氧根离子能够通过一种独特的反应机制,实现均匀、垂直排列的柱状多孔氮化镓结构的受控制备,为工程化用于光电应用的高孔隙率结构提供了一种通用的途径。
本研究表明,缺硫族原子 MoS、MoSe 及 Janus MoSSe 单层的自发结构重构主要由剩余硫族原子的类型而非母体晶格决定,其中硒即使在低温下也会诱导快速的无序化和晶格收缩,而硫则能在高温前保持晶体有序性,从而能够在单个单层内实现图案化的晶态区域与无序区域的构建。
本文引入了“线图外延”(line-graph epitaxy)作为一种合成单原子层金笼目晶格(goldene)的新方法,该晶格通过其与衬底的邻近效应展现出具有平带的强电子关联效应,并拥有双狄拉克节点线。
这项研究揭示了在卡戈梅超导体 CsV3Sb5-xSnx 中,从三 电荷密度波向短程条纹状态的转变诱发了一个以空间能隙变化和持续正规流体为特征的非均匀超导相,这表明存在一种非常规机制,即变号超导性与电荷条纹共存并受到其强烈散射。
通过将55个零散的晶体数据库统一为一个综合资源,并利用CGTNet模型预测缺失的性质,本研究揭示了对已知材料进行正向筛选可以发现数千种像ReN2这样的超高不可压缩性候选材料,同时证明了目前的逆向设计方法往往只是重新发现了已有的成分,从而为评估材料的新颖性建立了更严谨的基础。
本文通过利用扩散过程将氧掺入与缺陷形成相解耦,从而克服离子注入的局限性,建立了一种用于在碳化硅中创建并确定性识别氧空位缺陷的高质量、可扩展方法,旨在为量子技术实现卓越的光学和自旋相干特性。
本研究表明,对 10 nm 原子层沉积(ALD)生长的 NbN 薄膜进行氧等离子体处理会诱发表面氧化,这由 4.9 eV 处出现的新吸收特征以及有效载流子浓度和迁移率随处理时间增加而降低所证实。
本文报道了 YbPdBi 单晶的成功生长与表征,该单晶结晶为 CaPdBi 型结构,具有二价非磁性 Yb 离子,并表现出金属行为以及由非对称空间群对称性导致的狄拉克点。
通过同时探测 Pd-Ni-P 金属玻璃的热力学与结构演化,本研究揭示了原子迁移率如何支配多晶型转变路径,从而驱动玻璃态中的连续中程有序化与过冷液体中的共存非晶态。
通过结合高分辨率拉曼光谱、二次谐波产生光谱与第一性原理计算,本研究通过识别出显著的拉曼特征源于猻(Te)沉淀而非固有晶格,从而解决了交错磁性 -MnTe 中存在冲突的归属问题,进而证实了该材料具有中心对称的 晶体结构以及单一的固有 声子模式。