Tellurium trioxide as an n-type wide-gap semiconductor with ultrahigh work functions from first principles
第一性原理计算表明,-TeO 是一种具有极高功函数(约 8 eV)且适用于光电应用的极具前景的 n 型宽禁带半导体,前提是必须精确控制氧化学势,以抑制否则会降低其电子性能的表面氧空位。
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第一性原理计算表明,-TeO 是一种具有极高功函数(约 8 eV)且适用于光电应用的极具前景的 n 型宽禁带半导体,前提是必须精确控制氧化学势,以抑制否则会降低其电子性能的表面氧空位。
第一性原理计算与模拟表明,稳定的非共线亚铁磁 NbMnX( = S, Se, Te)单层表现出巨大的自旋-晶格-电荷耦合,能够实现显著的磁可调弹性、热学和电子特性,使其成为二维自旋电子学、纳米力学和热控制领域极具前景的多功能平台。
本文通过强调结构证据中的歧义性、维度与耦合通道的复杂作用,以及缺乏将极化子屏蔽与缺陷保护直接联系起来的证据,对大极化子是铅卤钙钛矿缺陷容忍度负责的主要观点提出了挑战,并最终提出了新的实验以阐明在相关激发密度下的载流子行为。
本研究表明,通过增加新戊烷衍生物塑料晶体中的氢键密度,可以系统性地将其有序-无序相变的支配机制从取向无序化转变为强烈的晶格振动,从而为针对热能存储和制冷应用定制其热量响应的压力敏感性和幅度提供了一种分子设计策略。
本研究展示了在化学计量比 BiTe/FeTe 异质结的堆叠涡旋结构中,马约拉纳零模的创建及其磁场可调控性,从而为容错拓扑量子计算建立了一个图案化的超导平台。
本文提出并从理论上验证了二维系统中的电埃德尔斯坦效应(electric Edelstein effect),其中交叉电场在广泛的磁性及非磁性材料中产生可由栅极调控的自旋极化,为电学自旋操控和多状态自旋电子学提供了一种新的对称性引导路径。
本文报道了候选交错磁体(altermagnet)CrNbS高质量单晶的首次成功生长,并表征了其六方结构、141 K处的反铁磁转变以及非平凡的磁输运性质,从而确立了其作为研究交错磁性重要实验平台的地位。
本研究为同时存在电荷数为三和电荷数为一的 Weyl 点的非磁性晶体建立了基于对称性的指导原则,识别了实现这种独特的八节点构型的特定硼同素异形体,并论证了结构手性和对称性破缺如何支配其拓扑性质。
本文介绍了一种改进的定量建模策略,该策略利用炼金术解耦和溶剂化吉布斯自由能来精确校准势能面,从而通过预测显著更高的去溶剂化能垒并揭示溶剂单层分子层往往持久存在于聚集的二维材料层之间,解决了与实验结果不一致的问题。
本文引入了持久迈尔同调(persistent Mayer homology, PMH)作为一种新型拓扑描述符,用于捕捉金属有机框架和聚金属氧酸盐局部配位核心中的几何变异性,并证明了将 PMH 与元素解析的持久同调相结合,相比于仅使用传统方法,能显著提高对吸附和自扩散性质的预测能力。