Kilovolt-class Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Schottky Diodes for High Voltage and High Temperature Applications
Este artículo reporta el desarrollo de diodos Schottky de -GaO verticales de orientación (011) en la clase de kilovoltios utilizando una placa de campo de TiO/AlO para la terminación de borde, los cuales alcanzan voltajes de ruptura superiores de hasta 4.16 kV y mantienen un excelente rendimiento de rectificación con corrientes de fuga mínimas hasta 150 °C, demostrando su alto potencial para aplicaciones de potencia de alto voltaje y alta temperatura.