Defect-Mediated Nucleation and Dynamics across the Phase Transition in the Excitonic Insulator Candidate Ta2NiSe5
Mediante el uso de microscopía de túnel de barrido de temperatura variable, este estudio revela que la transición de fase en el candidato a aislante excitónico Ta2NiSe5 procede a través de un mecanismo de tipo martensítico que involucra dominios monoclínicos y ortorrómbicos segregados espacialmente, donde los defectos puntuales y los bordes de escalón actúan como centros de nucleación que modifican el crecimiento anisotrópico intrínseco de la fase de alta temperatura.