A Data Driven Roadmap to Sub 25 nm Bonding Overlay in Wafer to Wafer Hybrid Bonding
Cet article présente une analyse de données sur une décennie démontrant que les progrès du matériel de liaison, combinés à la pré-compensation de la lithographie et à un meilleur contrôle des processus, peuvent réduire les erreurs de recouvrement de liaison hybride entre wafers de près d'un ordre de grandeur pour parvenir à une voie pratique vers un alignement sub-25 nanomètres.