Beam Steering and Radiation Generation of Electrons in Bent Crystals in the Sub-GeV Domain
Cette étude démontre que les cristaux de silicium courbés peuvent diriger efficacement les faisceaux d'électrons sub-GeV et augmenter considérablement l'émission de rayonnement grâce à des effets de cohérence d'orientation, atteignant des records d'efficacité de canalisation supérieurs à 50 % à 300 MeV et confirmant la faisabilité de l'utilisation de tels cristaux pour la manipulation de faisceaux et la génération de photons de haute intensité dans les installations d'accélérateurs à basse énergie.