Characterization of p-stop isolation implants in silicon sensors using MOSFET structures
Cet article présente une méthodologie utilisant des structures de test MOSFET pour caractériser de manière non destructive les implants d'isolation p-stop dans les capteurs en silicium, en extrayant la tension de seuil et en reconstruisant les profils de dopage dépendants de la profondeur afin de surveiller les propriétés d'isolation entre électrodes.