Atomistic dynamics of early oxidation of Si upon ultra-short pulsed laser heating
Cette étude combine des simulations de dynamique moléculaire réactive avec une validation expérimentale pour démontrer que l'oxydation précoce du silicium sous l'effet d'un chauffage par laser à impulsions ultra-courtes est régie par une transition passant d'une croissance négligeable sous le point de fusion à une formation d'oxyde rapide, contrôlée par la diffusion, au sein de la couche transitoire de silicium fondu.