Remote epitaxial frustration stabilizes a correlated interfacial state
本論文は、N層グラフェン/SiC(0001)上のGdAuGe薄膜におけるグラフェン、基板、および再構成に由来する相互作用間の競合が、リモートエピタキシャル・フラストレーションを誘起し、それが並進対称性の破れと磁気的不可逆性の著しい増強を伴う自己制限的な界面状態を安定化させ、それによってエピタキシャル・フラストレーションが相関界面状態を創出するための実行可能な材料設計原理であることを確立していることを示すものである。