AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor structure integrated photoelectrode probe with optical artifact suppression function
本論文は、神経細胞の刺激と高品質な電気生理学的信号の取得を同時に行いつつ、光アーチファクトを90%抑制する差動記録アーキテクチャを備えたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタを用いた統合型光電極プローブを提案するものである。