Silicon Phase Shifter Modeling for Electronic-Photonic Co-Simulation in a 250 nm EPIC BiCMOS Technology
Dit artikel presenteert een fysiek georiënteerd, in HDL geïmplementeerd compact model voor silicium faseverschuivers in 250 nm EPIC BiCMOS-technologie dat nauwkeurige SPICE-compatibele elektro-optische co-simulatie mogelijk maakt door apparaatgeometrieën en niet-uniforme dopingsprofielen te koppelen aan elektro-optische kenmerken, zoals gevalideerd door metingen tot 80 Gb/s.