Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
यह शोध पत्र ध्रुवीय सतहों पर III-V टेट्राहेड्रल अर्धचालकों के विकास के लिए एक सार्वभौमिक गतिज मॉडल प्रस्तावित करने हेतु 'एब इनिशियो' (ab initio) गणनाओं का उपयोग करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि स्थिर गैलियम-आधारित पिरामिड केवल अतिरिक्त गैर-धातु "गोंद" (glue) परमाणुओं के माध्यम से ही क्रिस्टल स्टेप्स में सम्मिलित किए जा सकते हैं।
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