Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
Dit artikel maakt gebruik van ab initio-berekeningen om een universeel kinetisch model voor de groei van III-V tetraëdrische halfgeleiders op polaire oppervlakken voor te stellen, waarbij wordt aangetoond dat stabiele gallium-gebaseerde piramides alleen in kristalstappen kunnen worden opgenomen door de bemiddeling van aanvullende nietmetaal "lijm"-atomen.
Oorspronkelijk artikel gelicentieerd onder CC BY 4.0 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Dit is een AI-gegenereerde uitleg van het onderstaande artikel. Het is niet geschreven of goedgekeurd door de auteurs. Raadpleeg het oorspronkelijke artikel voor technische nauwkeurigheid. Lees de volledige disclaimer
Verdrinkt u in papers in uw vakgebied?
Ontvang dagelijkse digests van de nieuwste papers die bij uw onderzoekswoorden passen — met technische samenvattingen, in uw taal.