Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
Este artículo utiliza cálculos ab initio para proponer un modelo cinético universal para el crecimiento de semiconductores tetraédricos de III-V en superficies polares, demostrando que las pirámides estables basadas en galio solo pueden incorporarse en los escalones cristalinos mediante la mediación de átomos de "pegamento" no metálicos adicionales.
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