🔬 材料科学
Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
本論文は、第一原理計算を用いて、極性面上におけるIII-V族四面体半導体の成長に関する普遍的な速度論モデルを提案し、安定なガリウムベースのピラミッド構造は、追加の非金属による「接着剤」原子の媒介を通じてのみ結晶ステップへと組み込まれ得ることを示している。
原論文は CC BY 4.0 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/) でライセンスされています。 これは以下の論文のAI生成解説です。著者が執筆または承認したものではありません。技術的な正確性については原論文を参照してください。 免責事項の全文を読む
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