Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
Este artigo utiliza cálculos ab initio para propor um modelo cinético universal para o crescimento de semicondutores tetraédricos III-V em superfícies polares, demonstrando que pirâmides estáveis à base de gálio só podem ser incorporadas em degraus cristalinos através da mediação de átomos de "cola" não metálicos adicionais.
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