Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
Cet article utilise des calculs ab initio pour proposer un modèle cinétique universel pour la croissance de semi-conducteurs tétraédriques III-V sur des surfaces polaires, démontrant que les pyramides stables à base de gallium ne peuvent être incorporées dans les marches cristallines que par l'intermédiaire d'atomes de « colle » non métalliques supplémentaires.
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