Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
Questo articolo utilizza calcoli ab initio per proporre un modello cinetico universale per la crescita di semiconduttori tetraedrici III-V su superfici polari, dimostrando che le piramidi stabili a base di gallio possono essere incorporate nei gradini cristallini solo attraverso la mediazione di atomi di "collante" non metallici aggiuntivi.
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