Universal model of the growth of III-V tetrahedral semiconductors on polar surfaces: pyramids and glue atoms. VII. Step kinetics
Diese Arbeit nutzt Ab-initio-Berechnungen, um ein universelles kinetisches Modell für das Wachstum von III-V-tetraedrischen Halbleitern auf polaren Oberflächen vorzuschlagen, wobei nachgewiesen wird, dass stabile galliumbasierte Pyramiden nur durch die Vermittlung zusätzlicher Nichtmetall-„Kleberatome“ in Kristallstufen eingebaut werden können.
Originalarbeit lizenziert unter CC BY 4.0 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Dies ist eine KI-generierte Erklärung des untenstehenden Papers. Sie wurde nicht von den Autoren verfasst oder gebilligt. Für technische Genauigkeit konsultieren Sie das Originalpaper. Vollständigen Haftungsausschluss lesen
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